晶體管Q1的關(guān)斷損耗

按照上面所說(shuō)的方法，盡管波形已經(jīng)反向，在關(guān)斷期間，C1和品體管Q1上都有類(lèi)似的平均電流與電壓。在關(guān)斷時(shí)間t1-t2內(nèi)，晶體管的功耗與在關(guān)斷結(jié)束時(shí)刻t存儲(chǔ)在C比電不大上的能量相等因此:

式中，PQ1(off)=關(guān)斷期間在Q1的功耗，單位為mW；

C1=緩沖網(wǎng)絡(luò)電容，單位為μF；

Vceo=晶體管Vceo。額定值，70%Vceo=是Ic=0時(shí)選擇的較大電壓值；

?=頻率，單位為kHz。

緩沖網(wǎng)絡(luò)的電阻值

緩沖網(wǎng)絡(luò)中放電電阻R1被用來(lái)在已定義的較小導(dǎo)通期間內(nèi)使緩沖網(wǎng)絡(luò)電容C1放電較小的導(dǎo)通時(shí)間由在較大輸入電壓以及較大工作頻率條件下所定義的較小負(fù)載決定。

CR時(shí)間常數(shù)應(yīng)該小于較小導(dǎo)通時(shí)間的50%，保證C1能夠在下一個(gè)關(guān)斷時(shí)間前進(jìn)行有效的放電。因此

緩沖網(wǎng)絡(luò)中電阻的功耗

每個(gè)周期內(nèi)，在緩沖網(wǎng)絡(luò)中的電阻功耗等于關(guān)斷結(jié)束時(shí)存儲(chǔ)在電容C1的能量，而C1上的電壓與變換器電路的類(lèi)型有關(guān)。根據(jù)全部能量變換觀點(diǎn)，C1上的電壓將等于充電器電壓Vcc，因此在下個(gè)導(dǎo)通期間到來(lái)之前，所有的反向電壓都會(huì)降為零值。對(duì)于連續(xù)工作方式，C1上的電壓就等于充電器電壓與變壓器副邊反射到原邊的電壓之和。在C1放電前的電壓是Vc，則R1的功耗PR用以下公式計(jì)算:

密勒電流效應(yīng)

在測(cè)量關(guān)斷電流時(shí)，設(shè)計(jì)者應(yīng)考慮會(huì)出現(xiàn)不可避免的密勒效應(yīng)，密勒電流將在關(guān)斷沿流過(guò)集電極電容。

在討論高壓晶體管工作的過(guò)程中密勒效應(yīng)經(jīng)常被忽略。即使Q完全關(guān)斷，密勒電流還是會(huì)引起明顯的集電極電流。它的幅值與集電極電壓的變化率（dVc／dt）以及集電極基極間的耗盡電容有關(guān)。此外，如果在開(kāi)關(guān)晶體管Q1上裝有一個(gè)散熱器，那么在Q1集電極與公共地線之間將會(huì)有一個(gè)相當(dāng)大的電容存在，這給集電極電流提供了另一條通路這不應(yīng)與密勒電流本身相混淆，它的幅值一般比密勒電流大幾倍。

在整個(gè)關(guān)斷期間，這些耦合電容將產(chǎn)生明顯的集電極電流，測(cè)量的集電極電流是平頂波形。所以，在集電極電壓上升到V期間，集電極電流決不會(huì)等于零。在圖1。18。2c中顯示為電流的平頂波形。盡管這種影響不可避免，但在開(kāi)關(guān)晶體管已公布的二次擊穿特性中通常被忽略掉。較大集電極dVc/dt值有時(shí)要用到，通過(guò)選擇合適的C1值便可以得到滿(mǎn)意的dVc/dt值。當(dāng)使用功率MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)，必須要滿(mǎn)足較大dVc/dt值以阻止晶體管寄生振蕩。因此在大多數(shù)高壓功率MOSFET應(yīng)用中仍然要用到緩沖網(wǎng)絡(luò)。