器件選型與輻射發(fā)射

電磁兼容問題很難解決嗎？防止電磁干擾技術是高不可攀的技術難題嗎？都不是，關鍵是人們對EMC 沒有足夠的重視。特別是一些電子、 電工產品生產廠家，缺乏 EMC 意識，缺乏 EMC 對策技術知識，同時， 為了降低成本，在產品的設計制造過程中，在應該使用抗電磁干擾電子元件的地方卻沒有使用，以致使產品出現(xiàn) EMC 問題。在解決電磁兼容問題、 貫徹 EMC 標準過程中，合理的選擇元件器往往被人們忽略，但元器件選型對于系統(tǒng)的輻射發(fā)射具有重大的影響。

器件導致EMI的原因

大家知道，電磁干擾必須包含三個要素，即電磁干擾源、電磁干擾傳遞途徑（傳導、輻射、耦合）、及接受電磁干擾的響應者。這三個要素相當復雜，不同的場合有不同的表現(xiàn)，總起來說，根據電磁感應、趨膚效應、電磁振蕩與電磁波傳播等基本物理規(guī)律可知，電磁物理量隨時間變化越快，越容易感生電磁干擾；頻率越高越容易產生輻射；電磁場強度與距離平方成反比；一些靈敏度高的未屏蔽電路容易產生耦合等等。隨著數字電路的告訴發(fā)展，電子元器件的發(fā)展趨勢具有如下幾個特點。

1 高頻化

近年來，電子產品向高頻化發(fā)展的趨勢十分明顯。譬如LANSWITCH 工作時鐘達到 125MHz， 傳輸產品較高工作頻率已經達到 1GHz 以上。信號頻率越高，越容易產生輻射和耦合，而且越難抑制和屏蔽，致使電磁干擾加劇。

2 高速數字化

數字電路是常見的電磁干擾源，同時數字電路的抗電磁干擾能力較弱，在電磁干擾下有時會產生誤動作，隨著數字電路的高速化，脈沖信號的上升/下降時間不超過信號周期的 5％， 這樣陡的快速跳變信號包含了更多的頻率更高的高次諧波分量。 這樣，就更容易產生電磁干擾。

3 高密度組裝

高密度組裝的SMT 電路，以及密度更高的 MCM 組裝方式，大大提高了電子元器件、 IC、機電部件的堆積密度，使電子元器件間的距離大大縮小，引腳間距和布線間距已縮小到 0.2mm，大大加劇了相互間的耦合，因而增加了抗電磁干擾的難度。

4 低電壓化

我們當然希望我們的一塊單板上實現(xiàn)盡量多的功能，這樣就需要節(jié)省電源和縮小體積，要求IC 及半導體有源器件的工作電壓降低，向低電壓方向發(fā)展。但是電壓降低之后，它們對瞬變電壓、浪涌電壓、靜電放電等電磁干擾的抵抗能力明顯下降，因而對電磁環(huán)境提出了更高的要求。反之， 對電子產品對外的干擾水平有了更為嚴格的要求。