電磁屏蔽理論

電磁場通過金屬材料隔離時，電磁場的強度將明顯降低，這種現(xiàn)象就是金屬材料的屏蔽作用。我們可以用同一位置無屏蔽體時電磁場的強度與加屏蔽體之后電磁場的強度之比來表征金屬材料的屏蔽作用，定義

屏蔽效能（Shielding Effectiveness，簡稱 SE）：

SE = 20lg（E1/E2） ，電場的屏蔽效能

SE = 20 lg（H1/H2） ，磁場的屏蔽效能
式中： E1, H1為無屏蔽體時的電場強度和磁場強度，
E2, H2為有屏蔽體時的電場強度和磁場強度。

屏蔽體上孔縫的影響
實際上，屏蔽體上面不可避免地存在各種縫隙、開孔以及進出電纜等各種缺陷，這些缺陷將對屏蔽體的屏蔽效能有急劇的劣化作用。
上節(jié)中分析的理想屏蔽體在 30MHz 以上的屏蔽效能已經(jīng)足夠高，遠遠超過工程實際的需要。真正決定實際屏蔽體的屏蔽效能的因素是各種電氣不連續(xù)缺陷，包括：縫隙、開孔、電纜穿透等。
屏蔽體上面的縫隙十分常見，特別是目前機柜、插箱均是采用拼裝方式，其縫隙十分多，如果處理不妥，縫隙將急劇劣化屏蔽體的屏蔽效能。

電纜的屏蔽設計
如果導體從屏蔽體中穿出去，將對屏蔽體的屏蔽效能產(chǎn)生顯著的劣化作用。這種穿透比較典型的是電纜從屏蔽體中穿出。
電纜穿透的作用是將屏蔽體內(nèi)外通過導線連通，等效于兩個背靠背的天線，對屏蔽體的屏蔽有極大的影響。