AC和DC條件中的氣隙影響

AC條件中的氣隙影響

從圖中可見，磁心氣隙增加使B／H特性的斜率減小，但需要的△B不變。因此磁場(chǎng)電流△H增加。這表示磁心的導(dǎo)磁率顯著減小及原邊電感減小，因此磁心氣隙不會(huì)改變交流磁通密度的需求，或相反還改善了磁心的交流性能。

通常的錯(cuò)誤觀點(diǎn)是，假設(shè)由于原邊匝數(shù)不夠、過度施加交流電壓或工作頻率低（即過度施加伏秒△B。）而導(dǎo)致的磁心飽和可以通過引入氣隙來糾正。從圖可見這不是真實(shí)的。有或沒有氣隙，飽和磁通密度B=都保持一樣，可是引入氣隙會(huì)減小剩余磁通密度B。，并增加△B。的工作范圍，這在不連續(xù)方式中是有幫助的。

DC條件中的氣隙影響

繞組中的DC電流成分使B／H環(huán)中平行于H軸的DC磁化力H增加（Hx正比于平均直流安匝）。對(duì)于一個(gè)特定的副邊負(fù)載電流，Hdc的值是確定的。對(duì)于直流條件，B被認(rèn)為是因變量。

應(yīng)該注意到，有氣隙的磁心可以支持大得多的H值（DC電流）而不飽和。很清楚，在此例中較高的H值Ha足以使無氣隙的磁心飽和（即使無任何交流成分）。因此，氣隙對(duì)防止由繞組中的DC電流成分引起的磁心飽和非常有效。當(dāng)反激變換器工作于連續(xù)方式時(shí)（如圖2。1。5b所示），會(huì)產(chǎn)生大量的DC電流成分，故必須使用氣隙。

圖表示了有氣隙和無氣隙時(shí)磁通密度偏移△B。（用于承受所加的交流電壓）加于由DC成分Hx產(chǎn)生的平均磁通密度B上的例子。對(duì)于無氣隙磁心，小的直流極化H會(huì)產(chǎn)生磁通密度BA。對(duì)于有氣磁心，產(chǎn)生同樣的磁通密度BA需要大得多的DC電流Hm，還有可清楚地看到在有氣例子中，即使加上較大的直流和交流成分，磁心都不會(huì)飽和。

總之，圖表示磁通密度△B是由施加的交流電壓引起的，在磁心中引入氣隙對(duì)磁通密度△B。沒有影響?？墒窃诖判闹幸霘庀稌?huì)使平均磁通密度Ba（由繞組中的DC電流成分產(chǎn)生）大大減小。

在處理不完全能量傳遞（連續(xù)方式）工作方式時(shí)，提供直流磁化電流的裕度變得特別重要。這種方式中，磁心電流水遠(yuǎn)不會(huì)降到零，很明顯無氣隙時(shí)磁心就會(huì)飽和。

記住，使用的伏秒、匝數(shù)和磁心尺寸決定了垂直于B軸的磁通密度△B=的變化，而平均直流電流、匝數(shù)和磁路長(zhǎng)度決定了平行軸上Hx的值。要提供足夠的匝數(shù)和磁心尺寸來支持所加的交流電壓，要提供足夠的磁心氣隙來防止飽和及支持直流電流成分