充電器設(shè)計(jì)半橋技術(shù)系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)及存在問題

由于半橋技術(shù)有許多優(yōu)點(diǎn)，所以應(yīng)用廣泛，特別是在高壓工作情況更是如此。

其中一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是晶體管Q1和Q2不會承受高于充電器電壓（加一個(gè)二極管壓降）的過電壓。二極管D1和D2起到能量恢復(fù)元件的作用，將集電極電壓鉗位在充電器電壓，使電壓不會超調(diào)。因此晶體管在良好的電壓應(yīng)力條件下工作。

輸出雙向整流器的倍頻作用為每個(gè)工作周期提供兩個(gè)能量脈沖，使L1和C需要儲存的能量減少。

當(dāng)要求100V工作時(shí)，輸入電容器C1和C2的串聯(lián)構(gòu)成了簡單的倍壓電路。

變壓器原邊繞組P1和磁心磁感應(yīng)強(qiáng)度擺幅值在工作的兩個(gè)半周期都得到了充分的利用。所以與傳統(tǒng)的推挽變換器相比，該電路對變壓器繞組和磁心有更好的利用，傳統(tǒng)的推挽變換器工作時(shí)，每半個(gè)周期內(nèi)只使用一半繞組（若輸出采用橋式整流器，則對輸出繞組有相同的作用，但由于二極管效率的原因這常常只用于高電壓輸出的場合）。

較后，原邊不需要能量恢復(fù)繞組，其結(jié)構(gòu)決定了該作用是由D1和D2來完成的。

存在的問題

手機(jī)充電器設(shè)計(jì)者必須防止這種變換器可能出現(xiàn)的許多問題。

一個(gè)主要的困難是變壓器磁心的階梯形飽和。如果加到原邊繞組的所有正向脈沖的平均伏秒與所有負(fù)向脈沖的不嚴(yán)格相等，變壓器磁通密度將隨每個(gè)周期增加（階梯形）并進(jìn)入飽和。如果副邊二極管電壓不平衡也會出現(xiàn)相同的影響。由于儲存時(shí)間和飽和電壓在兩個(gè)晶體管或二極管中很少相等，所以除非采取有效的措施加以防止，否則該影響是很難避免的。變壓器磁心中加入小的氣隙將改善對該影響的承受力，但不能消除它。

幸運(yùn)的是隨著變壓器接近飽和，存在一種自然的補(bǔ)償作用。磁心開始飽和時(shí)，一個(gè)晶體管上的集電極電流在接近導(dǎo)通結(jié)束時(shí)將趨向增加。這導(dǎo)致儲存時(shí)間縮短，因此該晶體管的導(dǎo)通時(shí)間縮短，出現(xiàn)某種自然平衡作用。

可是如果使用非?？焖俚拈_關(guān)晶體管或具有低儲存時(shí)間的功率MOSFET，對于這種自然校正作用其儲存時(shí)間是不夠的。

為防止階梯形飽和，可以使用電流型控制。對110V倍壓輸入整流器連接，原邊存在一直流通路，不需要特別的直流恢復(fù)電路?？墒菍?20V橋式工作情況，使用電流型控制時(shí)必須給出經(jīng)過原邊的直流通路，必須使用特定的恢復(fù)電路。

較低功率時(shí)，另一種替代方法是選擇晶體管具有近似相等的儲存時(shí)間。輸出二極管D3和D4應(yīng)選擇在工作電流下具有相等的正向壓降。晶體管類型和驅(qū)動電路應(yīng)在關(guān)斷期間具有合理的儲存時(shí)間。

較后，控制放大器的轉(zhuǎn)換速率必須緩慢以使得在兩周期間脈沖寬度不會發(fā)生大的變化（否則工作于接近飽和的晶體管將立刻飽和）。這樣的設(shè)計(jì)使暫態(tài)響應(yīng)變差，但這可能并不重要。這主要取決于實(shí)際應(yīng)用。

雖然階梯形飽和引起的磁心局部飽和在穩(wěn)態(tài)條件下可能不是主要問題，但在瞬間負(fù)載變化期間可能會出現(xiàn)更嚴(yán)重的問題。

假設(shè)充電器已在較輕負(fù)載下工作，并且穩(wěn)定工作條件已經(jīng)建立。對于任意一個(gè)晶體管其本身的階梯形飽和趨勢已使變壓器工作在非常接近飽和的狀態(tài)。因?yàn)殡姼衅麟娏鞑粫⒖套兓暂敵鲭娏魍蝗辉黾訒r(shí)，較初將引起輸出電壓降低?？刂齐娐窌敵鲭妷旱南陆底龀鲰憫?yīng)，將驅(qū)動脈沖寬度調(diào)整到較大。變壓器將在半個(gè)周期內(nèi)立即飽和，這可能造成開關(guān)元件損壞。

因此需要引入一些其他的控制方法，如原邊限流或放大器轉(zhuǎn)換速率限制，以防止充電器損壞。這兩種方法都將對暫態(tài)響應(yīng)時(shí)間起到嚴(yán)格限制的作用。更多處理階梯形飽和的有效方法（電流型控制方法）。